Меню

Сигов Александр Сергеевич

Президент

родился 31 мая 1945.
Советский и российский физик, академик Российской академии наук (2011), специалист в области физики твердого тела, твердотельной электроники и физического материаловедения, заслуженный деятель науки Российской Федерации, Почетный работник высшего профессионального образования РФ, лауреат Государственной премии РФ, премии Правительства РФ в области образования и двух премий Правительства РФ в области науки и техники, премии им. М. В. Ломоносова в области науки и образования, член Научного совета при Совете Безопасности РФ, председатель Научного совета РАН по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков, член бюро объединенного совета РАН по физике конденсированных сред, член Европейского физического общества, IEEE, Института инженерии и технологий (IET).
Под его руководством защищено 19 кандидатских диссертаций, 11 его учеников стали докторами наук, он — автор и соавтор более 300 научных трудов, 18 монографий и учебников, 34 изобретений.
Главный редактор научных журналов «Электроника», «Наноматериалы и наноструктуры», заместитель главного редактора журнала «Integrated Ferroelectrics», входит в состав редакционных коллегий и советов международных и российских журналов: «Известия РАН. Серия физическая», «Микросистемная техника», «Инженерное образование», «Фотоника» и многих других.
Вдохновитель и организатор Межвузовского литературного форума им. Н. С. Гумилёва «Осиянное Слово». Член НП «Национальный союз библиофилов».
В 1962 году окончил с золотой медалью среднюю школу в Киеве.
В 1968 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова по кафедре квантовой теории.
В 1971 году окончил аспирантуру физфака МГУ и был распределён в МИРЭА, где и работает по настоящее время.
В 1972 году защитил кандидатскую диссертацию «Статические и динамические свойства доменных границ с поперечными связями в тонких ферромагнитных пленках».
В 1985 году защитил докторскую диссертацию «Влияние дефектов на физические свойства кристаллов вблизи структурных и магнитных фазовых переходов».
В 1988 году А. С. Сигову было присвоено звание профессора.
С 1985 по 1998 годы избирался деканом факультета электроники и оптоэлектронной техники МИРЭА.
С мая 1998 по июнь 2013 года А. С. Сигов — ректор МИРЭА.
В 2006 году избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информационных технологий и вычислительных систем РАН по специальности «Информационные системы и элементная база».
В 2011 году избран действительным членом Российской академии наук.
C июня 2013 года — Президент МГТУ МИРЭА.
Награды:
Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (22 сентября 2006) — за большой вклад в развитие образования и науки.
Орден Почёта (26 августа 2016 года) — за большой вклад в развитие науки, образования, подготовку квалифицированных специалистов и многолетнюю добросовестную работу.
Лауреат Государственной премии Российской Федерации в области науки и техники (2003).
Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники (2000, 2011).
Заслуженный деятель науки Российской Федерации (1997).
Лауреат премии имени Михаила Ломоносова в области науки и образования (2003).
Медаль «200 лет Министерству обороны» (2002),
Медаль «В память 850-летия Москвы» (1997)